運(yùn)放失配設(shè)計(jì)
圖1 電阻負(fù)載運(yùn)放
根據(jù)拉扎維《模擬CMOS集成電路設(shè)計(jì)》中14.2.1節(jié)的推導(dǎo)，電阻負(fù)載的運(yùn)放的直流失調(diào)可以表示為式1：
由式(1)可知：
負(fù)載電阻失配與晶體管尺寸失配對(duì)失調(diào)電壓的影響隨著靜態(tài)工作點(diǎn)過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓增大而增大；
閾值電壓失配直接折合到輸入。
因此，在電路設(shè)計(jì)時(shí)，應(yīng)該設(shè)計(jì)運(yùn)放的輸入對(duì)管具有更小的過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓以減小失調(diào)。
電流鏡失配設(shè)計(jì)
根據(jù)拉扎維《模擬CMOS集成電路設(shè)計(jì)》中14.2.1節(jié)的推導(dǎo)，電流鏡的電流失配用平均電流值歸一化后可表示為式(2)：
這個(gè)結(jié)果表示，為了使電流失配最小，必須使過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓達(dá)到最大，這與式(1)結(jié)論是相反的，這是因?yàn)樵谄椒铰晒街校S著VGS-VTH的增加，閾值電壓的失配對(duì)器件電流的影響越來(lái)越小。
電流源負(fù)載的運(yùn)放失配設(shè)計(jì)
對(duì)于電流源負(fù)載的運(yùn)放，負(fù)載電流源會(huì)存在式(2)所示的的電流失配ΔID，其等效到運(yùn)放的失調(diào)電壓為ΔID/gm，對(duì)于給定的電流，gm=2ID/(VGS-VTH)，即負(fù)載電流源的失配引起的運(yùn)放輸入失調(diào)會(huì)隨著輸入對(duì)管過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓的增大而增大。
圖2 電流鏡負(fù)載運(yùn)放
同時(shí)考慮運(yùn)放輸入對(duì)管和負(fù)載電流鏡晶體管的失配后，如圖2所示運(yùn)放的輸入失調(diào)電壓可表示為式(3):
式(3)可知，在設(shè)計(jì)運(yùn)放時(shí)，在給定電流下，應(yīng)該使輸入對(duì)管具有更小的過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓，而使負(fù)載電流源晶體管具有更大的過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓，以此獲得更小的運(yùn)放輸入失調(diào)。
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