開關(guān)損耗的改善
輸入部分損耗
1、脈沖電流造成的共模電感T的內(nèi)阻損耗加大
適當設(shè)計共模電感，包括線徑和匝數(shù)
2、放電電阻上的損耗
在符合安規(guī)的前提下加大放電電阻的組織
3、熱敏電阻上的損耗
在符合其他指標的前提下減小熱敏電阻的阻值
啟動損耗
普通的啟動方法，開關(guān)電源啟動后啟動電阻回路未切斷，此損耗持續(xù)存在。
改善方法：恒流啟動方式啟動，啟動完成后關(guān)閉啟動電路降低損耗。
與開關(guān)電源工作相關(guān)的損耗
鉗位電路損耗
有放電電阻存在，mos開關(guān)管每次開關(guān)都會產(chǎn)生放電損耗。
改善方法：用TVS鉗位如下圖，可免除電阻放電損耗（注意：此處只能降低電阻放電損耗，漏感能量引起的尖峰損耗是不能避免的）
當然最根本的改善辦法是，降低變壓器漏感。
開關(guān)管MOSFET上的損耗
mos損耗包括：導通損耗，開關(guān)損耗，驅(qū)動損耗。其中在待機狀態(tài)下最大的損耗就是開關(guān)損耗。
改善辦法：降低開關(guān)頻率、使用變頻芯片甚至跳頻芯片（在空載或很輕負載的情況下芯片進入間歇式振蕩）
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